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2024年8月25日，中国科学院院士、微电子学领域权威专家郝跃院士莅临新葡亰8883ent进行考察指导。此次访问不仅体现了郝跃院士对苏州半导体产业发展的高度关注，也为新葡亰8883ent半导体在技术创新和产业发展上提供了新的思路与方向。

郝跃院士作为微电子学领域的领军人物，长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。他在碳化硅SiC第三代(宽禁带)及氧化镓第四代半导体功能材料和微波米波器件、半导体照明短波长光电材料与器件研究和应用、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。

在董事长丁国华先生的陪同下，郝院士实地参观考察了新葡亰8883ent公司展厅、实验室等重要场所，深入了解了公司最新的发展情况、公司规模、研发能力以及市场应用情况。通过丁总的介绍，郝跃院士高度肯定了新葡亰8883ent在功率半导体领域所取得的成就，并对公司的未来发展寄予厚望。

访问期间，郝跃院士与董事长丁国华进行了深入交流，共同探讨了第三代半导体材料特别是SiC(碳化硅)功率器件的技术发展、市场应用以及面临的挑战与机遇。尽管SiC功率器件在电力电子、新能源汽车、工业、高可靠等多个领域展现出巨大的应用潜力，但其在发展过程中仍面临着复杂的工艺技术、较高的成本以及封装技术的适配等问题。未来，SiC功率器件还需不断突破技术瓶颈、降低生产成本以及提升市场接受度。郝院士希望新葡亰8883ent继续深耕细作，加强与高校、科研院所及产业链上下游企业的合作，共同推动第三代半导体技术的应用创新。

此次郝跃院士的到访为新葡亰8883ent带来了新的发展动力和方向。在第三代半导体的发展道路上，新葡亰8883ent将继续秉承创新精神，加大科研投入，不断突破技术难题，为推动国家半导体产业的自主可控贡献自己的力量。同时，也期待与业界同仁携手共进，共同迎接SiC功率器件更加辉煌的未来。